第一章 单元测试

1、 十进制数78转换成8421BCD码是（ ）。

A:00111000
B:01111000
C:11111000
D:01110111
答案: 01111000

2、

将十进制数43转换成8421BCD码后，答案是（ ）。

A:00111000
B:01000011
C:11111000
D:01110111
答案: 01000011

3、

将十进制数23转换成8421BCD码后，我们可以得到（ ）。

A:00111000
B:00100011
C:11111000
D:01110111
答案: 00100011

4、 十进制数123转换成8421BCD码是（ ）。

A:000100100011
B:011110001100
C:111110000010
D:011101111101
答案: 000100100011

5、 十进制数78转换成5421BCD码是（ ）。

A:10101011
B:01111011
C:11111000
D:01110111
答案: 10101011
01111011

6、 十进制数72转换成2421BCD码是（ ）。

A:11011000
B:01110010
C:01111000
D:11010010
答案: 11011000
01110010
01111000
11010010

7、 格雷码是一种循环码，具有循环性和反射性。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

8、 8421BCD码是一种有权自然码。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

9、 0状态是与门的有效状态。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

10、 0状态是或门的有效状态。（ ）

A:对
B:错
答案: 错

第二章 单元测试

1、 哪项没有使用吸收率（ ）。

A:A+AB=A
B:A+A=A
C:A+AB+ABC=A
D:A+AB+AC=A
答案: A+A=A

2、 哪项表述是错误的（ ）。

A:卡诺图包围圈包围“1”的个数越多越好
B:卡诺图包围圈个数越少越好
C:卡诺图化简法和代数法化简比较，卡诺图化简法更好
D:卡诺图是使用格雷码编码，包含最小项的方格。
答案: 卡诺图化简法和代数法化简比较，卡诺图化简法更好

3、 哪项不属于代数法化简规则（ ）。

A:代入规则
B:对偶规则
C:互换规则
D:反演规则
答案: 互换规则

4、 哪项属于代数法化简规则（ ）。

A:代入规则
B:对偶规则
C:互换规则
D:反演规则
答案: 代入规则
对偶规则
反演规则

5、 A+ACD+ABC+AB化简结果不是（ ）。

A:B
B:CD
C:A
D:AB
答案: B
CD
AB

6、 通过反演规则进行了哪些对换，可以把原式变成反演式（ ）。

A:0-1
B:原-反
C:与-或
D:异或-同或
答案: 0-1
原-反
与-或

7、 摩根定理遵循反演规则。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

8、 原式就是对偶式。（ ）

A:对
B:错
答案: 错

9、 原式按照对偶规则可得其对偶式 。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

10、 原式按照反演规则可得其反演式。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

第三章 单元测试

1、 关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

2、 关于CMOS与非门的电路结构描述正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

3、

对于CMOS与非门的电路结构，下列描述中正确的是（ ）。

A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。

4、 TTL与非门输入端不用时如何处理（ ）。

A:悬空
B:接高电平
C:接地
D:接大电阻
答案: 悬空
接高电平
接大电阻

5、 关于NMOS反相器描述正确的是（ ）。

A:有源负载管始终工作于恒流区。
B:工作管输出可以是“0”，也可以是“1”。
C:工作管始终工作于恒流区。
D:有源负载管输出可以是“0”，也可以是“1”。
答案: 有源负载管始终工作于恒流区。
工作管输出可以是“0”，也可以是“1”。
有源负载管输出可以是“0”，也可以是“1”。

6、 以下描述错误的是（ ）。

A:TTL电路是由场效应管构成。
B:CMOS电路是由三极管构成。
C:TTL电路输入端不能悬空。
D:TTL电路输入端可以悬空。
答案: TTL电路是由场效应管构成。
CMOS电路是由三极管构成。
TTL电路输入端不能悬空。

7、 TTL与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

8、 CMOS与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。（ ）

A:对
B:错
答案: 错

9、 TTL与非门电路输入端接大电阻等价于高电平状态 。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

10、 CMOS与非门电路输入端不能悬空 。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

第四章 单元测试

1、 关于组合电路描述正确的是（ ）。

A:组合电路输出不仅取决于当前输入还与原来的输入有关。
B:组合电路有记忆功能。
C:组合电路有反馈线路。
D:组合电路输出只取决于当前输入。
答案: 组合电路输出只取决于当前输入。

2、 组合电路分析步骤（ ）。

A:电路图——真值表——表达式——结论。
B:表达式——电路图——真值表——结论
C:电路图——表达式——真值表——结论。
D:真值表——表达式——电路图——结论。
答案: 电路图——表达式——真值表——结论。

3、 组合电路设计步骤（ ）。

A:电路图——真值表——表达式——结论。
B:表达式——电路图——真值表——结论
C:电路图——表达式——真值表——结论。
D:真值表——表达式——电路图——结论。
答案: 真值表——表达式——电路图——结论。

4、 属于组合电路的是（ ）。

A:计数器
B:译码器
C:寄存器
D:数据分配器
答案: 译码器
数据分配器

5、 关于译码器描述正确的是（ ）。

A:译码器可以连成数据分配器。
B:译码器可以连成全加器。
C:74HC163是同步十进制计数器。
D:译码器可以连成流水灯状态。
答案: 译码器可以连成数据分配器。
译码器可以连成全加器。
译码器可以连成流水灯状态。

6、 数据选择器有（ ）。

A:74151。
B:74153。
C:74161。
D:74390。
答案: 74151。
74153。

7、 编码器分为8线-3线和16线-4线。（ ）

A:对
B:错
答案: 对

8、 数据选择器就是数据分配器。（ ）

A:对
B:错
答案: 错

9、 译码器分为8线-3线和16线-4线。（ ）

A:对
B:错
答案: 错

10、 数值比较器属于时序电路 。（ ）

A:对
B:错
答案: 对